وب سایت فروش کتب تخصصی کاشی، چینی، شیشه و دیرگداز

High Temperature Oxidation of silica Formers IN DISSOCIATED OXYGEN

DEDICATION ……………………………………………………………………………………………….. ii
ACKNOWLEDGEMENTS………………………………………………………………………………. iii
LIST OF TABLES…………………………………………………………………………………………….vi
LIST OF FIGURES……………………………………………………………………………………….. viii
LIST OF ABBREVIATIONS……………………………………………………………………………..xi
Chapter
I. INTRODUCTION ………………………………………………………………………………………..1
II. OXIDATION……………………………………………………………………………………………….4
Oxidation of ZrB2-SiC composite……………………………………………………………….4
Oxidation of Si………………………………………………………………………………………..6
Oxidation of Si3N4………………………………………………………………………………….13
Oxidation of SiC ……………………………………………………………………………………17
III. EXPERIMENTAL DETAILS……………………………………………………………………….19
Oxidation experiments ……………………………………………………………………………19
Pressure measurements …………………………………………………………………………..20
Temperature measurements……………………………………………………………………..21
O atom concentration measurement…………………………………………………………..21
Calibration of port A ………………………………………………………………………………23
Average O3 concentration measurements……………………………………………………26
Spectroscopic ellipsometry………………………………………………………………………26
Rutherford backscattering spectrometry …………………………………………………….27
IV. FINITE ELEMENT REACTOR MODEL……………………………………………………….31

۱۴٫ Measured and calculated thicknesses for oxidation of Si (100) for 3 hours at various
MWPs, at a mass flow rate of 2300 sccm (of 87% O2–۱۳% Ar gas mixture), 431.3 Pa
outlet pressure, and a furnace temperature of 1323 K ……………………………………………..85
۱۵٫ Parameters determined by fitting the model to the data for oxidation of LPCVD Si3N4
collected at 1183 K, at a mass flow rate of 2300 sccm (of 87% O2–۱۳% Ar gas mixture),
۴۳۱٫۳ Pa outlet pressure, and 80% maximum MWP for various αo……………………………93
۱۶٫ Parameters determined by fitting the model to the data for oxidation of LPCVD Si3N4
collected at 1323 K, at a mass flow rate of 2300 sccm (of 87% O2–۱۳% Ar gas mixture),
۴۳۱٫۳ Pa outlet pressure, and 80% maximum MWP for various αo……………………………94
۱۷٫ Parameters determined by fitting the model to the data for oxidation of CVD SiC
collected at 1183 K, at a mass flow rate of 2300 sccm (of 87% O2–۱۳% Ar gas mixture),
۴۳۱٫۳ Pa outlet pressure, and 80% maximum MWP for various αo……………………………95

قوانین ارسال دیدگاه

  • دیدگاه های فینگلیش تایید نخواهند شد.
  • دیدگاه های نامرتبط به مطلب تایید نخواهد شد.
  • از درج دیدگاه های تکراری پرهیز نمایید.

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “High Temperature Oxidation of silica Formers IN DISSOCIATED OXYGEN”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

0